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NTMFD4C85NT1G

NTMFD4C85NT1G

僅供參考

型號 NTMFD4C85NT1G
PNEDA編號 NTMFD4C85NT1G
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 288,587
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 8 - 三月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD4C85NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD4C85NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMFD4C85NT1G, NTMFD4C85NT1G數據表 (總頁數: 13, 大小: 136.97 KB)
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NTMFD4C85NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.4A, 29.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1960pF @ 15V
功率-最大1.13W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6)

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.2A, 32A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.1nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1143pF @ 25V

功率-最大

1.5W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

450mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

990mOhm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

27.6pF @ 16V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 20V

功率-最大

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 20V

功率-最大

17.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A, 11A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 15V

功率-最大

1.3W, 1.1W

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