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NTMFD4C85NT3G

NTMFD4C85NT3G

僅供參考

型號 NTMFD4C85NT3G
PNEDA編號 NTMFD4C85NT3G
描述 MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFD4C85NT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFD4C85NT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTMFD4C85NT3G, NTMFD4C85NT3G數據表 (總頁數: 13, 大小: 136.97 KB)
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NTMFD4C85NT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.4A, 29.7A
Rds On(Max)@ Id,Vgs3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1960pF @ 15V
功率-最大1.13W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 15V

功率-最大

2W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 5.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

518nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14000pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

450mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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