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NTMFS4939NT3G

NTMFS4939NT3G

僅供參考

型號 NTMFS4939NT3G
PNEDA編號 NTMFS4939NT3G
描述 MOSFET N-CH 30V 9.3A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 28 - 二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4939NT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4939NT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4939NT3G, NTMFS4939NT3G數據表 (總頁數: 7, 大小: 128.02 KB)
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NTMFS4939NT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.3A (Ta), 53A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs28.5nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1954pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)920mW (Ta), 30W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

480pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

510mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

101nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7930pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

208A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

280nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14400pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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