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NTMFS4C250NT1G

NTMFS4C250NT1G

僅供參考

型號 NTMFS4C250NT1G
PNEDA編號 NTMFS4C250NT1G
描述 MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMFS4C250NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMFS4C250NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMFS4C250NT1G, NTMFS4C250NT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 140.49 KB)
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NTMFS4C250NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta), 69A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1683pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)770mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

750mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

130pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

400mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 4.6A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

608pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 47A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1650pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

910mW (Ta), 25.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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