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NTMYS025N06CLTWG

NTMYS025N06CLTWG

僅供參考

型號 NTMYS025N06CLTWG
PNEDA編號 NTMYS025N06CLTWG
描述 FET 60V 21A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,058
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTMYS025N06CLTWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTMYS025N06CLTWG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTMYS025N06CLTWG, NTMYS025N06CLTWG數據表 (總頁數: 6, 大小: 177.27 KB)
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  • NTMYS025N06CLTWG Distributor

NTMYS025N06CLTWG規格

制造商ON Semiconductor
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

850mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3470pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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*

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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