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NTNS3A65PZT5G

NTNS3A65PZT5G

僅供參考

型號 NTNS3A65PZT5G
PNEDA編號 NTNS3A65PZT5G
描述 MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTNS3A65PZT5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTNS3A65PZT5G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTNS3A65PZT5G, NTNS3A65PZT5G數據表 (總頁數: 6, 大小: 130.72 KB)
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NTNS3A65PZT5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)281mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.1nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds44pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)155mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
包裝/箱SC-101, SOT-883

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

98A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

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制造商

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

123nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 1A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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