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NTP18N06

NTP18N06

僅供參考

型號 NTP18N06
PNEDA編號 NTP18N06
描述 MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTP18N06資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTP18N06
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTP18N06, NTP18N06數據表 (總頁數: 8, 大小: 84.98 KB)
PDFNTB18N06G數據表 封面
NTB18N06G數據表 頁面 2 NTB18N06G數據表 頁面 3 NTB18N06G數據表 頁面 4 NTB18N06G數據表 頁面 5 NTB18N06G數據表 頁面 6 NTB18N06G數據表 頁面 7 NTB18N06G數據表 頁面 8

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NTP18N06規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds450pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)48.4W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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制造商

ON Semiconductor

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22.4A (Ta), 94A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1205pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.66W (Ta), 46.3W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2569pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 155°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-PowerVDFN

PHB110NQ08T,118

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4860pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

715pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 15.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 350µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

37W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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