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NTS4172NT1G

NTS4172NT1G

僅供參考

型號 NTS4172NT1G
PNEDA編號 NTS4172NT1G
描述 MOSFET N-CH 30V 1.6A SC70-3
制造商 ON Semiconductor
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庫存 6,534
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTS4172NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTS4172NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NTS4172NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs93mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.38nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds381pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)294mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SC-70-3 (SOT323)
包裝/箱SC-70, SOT-323

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.05Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 300V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

452pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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