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NTTD4401FR2G

NTTD4401FR2G

僅供參考

型號 NTTD4401FR2G
PNEDA編號 NTTD4401FR2G
描述 MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTTD4401FR2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTTD4401FR2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NTTD4401FR2G, NTTD4401FR2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 92.24 KB)
PDFNTTD4401FR2G數據表 封面
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NTTD4401FR2G規格

制造商ON Semiconductor
系列FETKY™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs(最大)±10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds750pF @ 16V
FET功能Schottky Diode (Isolated)
功耗(最大值)780mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro8™
包裝/箱8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

FDBL0120N40

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

107nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7735pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-HPSOF

包裝/箱

8-PowerSFN

AUIRLS3036-7TRL

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9mOhm @ 180A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11270pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

380W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK (7-Lead)

包裝/箱

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

IRF740LC

Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

195nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13900pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 195W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-VSON-CLIP (5x6)

包裝/箱

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