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NTZD3156CT2G

NTZD3156CT2G

僅供參考

型號 NTZD3156CT2G
PNEDA編號 NTZD3156CT2G
描述 MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NTZD3156CT2G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NTZD3156CT2G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NTZD3156CT2G, NTZD3156CT2G數據表 (總頁數: 8, 大小: 119.94 KB)
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NTZD3156CT2G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)540mA, 430mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds72pF @ 16V
功率-最大250mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 10V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

790pF @ 35V

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 10V

功率-最大

490mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 6.8A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

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