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NUS2401SNT1

NUS2401SNT1

僅供參考

型號 NUS2401SNT1
PNEDA編號 NUS2401SNT1
描述 TRANS 2NPN/1PNP PREBIAS SC74
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,132
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NUS2401SNT1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NUS2401SNT1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
NUS2401SNT1, NUS2401SNT1數據表 (總頁數: 5, 大小: 134.06 KB)
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NUS2401SNT1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)175Ohms, 10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce-
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 1mA, 10mA / 250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大350mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SC-74

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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100mA

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