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NVDD5894NLT4G

NVDD5894NLT4G

僅供參考

型號 NVDD5894NLT4G
PNEDA編號 NVDD5894NLT4G
描述 MOSFET 2N-CH 40V 14A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,680
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVDD5894NLT4G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVDD5894NLT4G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVDD5894NLT4G, NVDD5894NLT4G數據表 (總頁數: 6, 大小: 119.7 KB)
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NVDD5894NLT4G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs41nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2103pF @ 25V
功率-最大3.8W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
供應商設備包裝D-Pak 5-Lead

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 6V

功率-最大

320mW

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.4nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1063pF @ 30V

功率-最大

1.8W

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 25V

功率-最大

50W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount, Wettable Flank

包裝/箱

8-PowerVDFN

供應商設備包裝

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

139A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

350nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9875pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

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