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NVMFD5489NLWFT1G

NVMFD5489NLWFT1G

僅供參考

型號 NVMFD5489NLWFT1G
PNEDA編號 NVMFD5489NLWFT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,726
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5489NLWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5489NLWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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NVMFD5489NLWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.4nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds330pF @ 25V
功率-最大3W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A, 16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1705pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

800pF @ 25V

功率-最大

1.6W

工作溫度

150°C (TJ)

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 10V

功率-最大

4.8W

工作溫度

150°C (TJ)

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

162mOhm @ 1A, 1.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

595pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

*

FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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