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NVMFD5853NLT1G

NVMFD5853NLT1G

僅供參考

型號 NVMFD5853NLT1G
PNEDA編號 NVMFD5853NLT1G
描述 MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5853NLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5853NLT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5853NLT1G, NVMFD5853NLT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 75.77 KB)
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NVMFD5853NLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs23nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1100pF @ 25V
功率-最大3W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 13V

功率-最大

2.8W

工作溫度

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

660pF @ 10V

功率-最大

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V, 125nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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