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NVMFD5877NLWFT1G

NVMFD5877NLWFT1G

僅供參考

型號 NVMFD5877NLWFT1G
PNEDA編號 NVMFD5877NLWFT1G
描述 MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,084
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5877NLWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5877NLWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5877NLWFT1G, NVMFD5877NLWFT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 132.72 KB)
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NVMFD5877NLWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A
Rds On(Max)@ Id,Vgs39mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds540pF @ 25V
功率-最大3.2W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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包裝/箱

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Advanced Linear Devices Inc.

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

10.6V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.42V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6800pF @ 100V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.03A, 700mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 200mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

37.1pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 13V

功率-最大

2.8W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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