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NVMFD5C470NT1G

NVMFD5C470NT1G

僅供參考

型號 NVMFD5C470NT1G
PNEDA編號 NVMFD5C470NT1G
描述 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFD5C470NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFD5C470NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
NVMFD5C470NT1G, NVMFD5C470NT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 140.99 KB)
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NVMFD5C470NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.7A (Ta), 36A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 25V
功率-最大3.1W (Ta), 28W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

220pF @ 15V

功率-最大

700mW

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

86mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 10V

功率-最大

1.14W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

115mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 15V

功率-最大

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