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NVMFS5C410NT1G

NVMFS5C410NT1G

僅供參考

型號 NVMFS5C410NT1G
PNEDA編號 NVMFS5C410NT1G
描述 MOSFET N-CH 40V SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5C410NT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5C410NT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS5C410NT1G, NVMFS5C410NT1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 128.86 KB)
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NVMFS5C410NT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs0.92mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs86nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.9W (Ta), 166W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

113nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 158W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

527pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

156W (Tc)

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安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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