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NVMFS5C442NLT1G

NVMFS5C442NLT1G

僅供參考

型號 NVMFS5C442NLT1G
PNEDA編號 NVMFS5C442NLT1G
描述 MOSFET N-CH 40V 27A SO8FL
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,254
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5C442NLT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5C442NLT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS5C442NLT1G, NVMFS5C442NLT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 179.78 KB)
PDFNVMFS5C442NLWFAFT3G數據表 封面
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NVMFS5C442NLT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Ta), 127A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3100pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

492pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

540mW (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-TSOP

包裝/箱

SC-74, SOT-457

AO4482L

Alpha & Omega Semiconductor

制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SOIC

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

CSD23285F5

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

628pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

3-PICOSTAR

包裝/箱

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IXFX32N90P

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

900V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

960W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

243nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19250pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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