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NVMFS5C646NLWFAFT1G

NVMFS5C646NLWFAFT1G

僅供參考

型號 NVMFS5C646NLWFAFT1G
PNEDA編號 NVMFS5C646NLWFAFT1G
描述 MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
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庫存 7,326
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS5C646NLWFAFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS5C646NLWFAFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVMFS5C646NLWFAFT1G, NVMFS5C646NLWFAFT1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 161.29 KB)
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NVMFS5C646NLWFAFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta), 93A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs33.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2164pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 79W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9750pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 143W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

230A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

15300pF @ 25V

FET功能

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650W (Tc)

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