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NVMFS6B05NLWFT1G

NVMFS6B05NLWFT1G

僅供參考

型號 NVMFS6B05NLWFT1G
PNEDA編號 NVMFS6B05NLWFT1G
描述 MOSFET N-CH 100V 17A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS6B05NLWFT1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS6B05NLWFT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NVMFS6B05NLWFT1G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.8nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3980pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 165W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

235mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1388pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

32W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.8Ohm @ 660mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 400µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

357pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A (Ta), 3.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

235pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta), 1.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 65µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

195W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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