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NVMFS6B85NLT3G

NVMFS6B85NLT3G

僅供參考

型號 NVMFS6B85NLT3G
PNEDA編號 NVMFS6B85NLT3G
描述 MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN
制造商 ON Semiconductor
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庫存 4,860
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMFS6B85NLT3G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMFS6B85NLT3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NVMFS6B85NLT3G規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.6A (Ta), 19A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs46mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.9nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds480pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.5W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝5-DFN (5x6) (8-SOFL)
包裝/箱8-PowerTDFN, 5 Leads

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

735pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Ta), 75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1333pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 74.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1037pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

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