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NVMYS8D0N04CTWG

NVMYS8D0N04CTWG

僅供參考

型號 NVMYS8D0N04CTWG
PNEDA編號 NVMYS8D0N04CTWG
描述 FET NCH 40V 48A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVMYS8D0N04CTWG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVMYS8D0N04CTWG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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NVMYS8D0N04CTWG規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta), 49A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 30µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds625pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 38W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝4-LFPAK
包裝/箱SOT-1023, 4-LFPAK

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 50W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

520mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

52nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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