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NVTFS010N10MCLTAG

NVTFS010N10MCLTAG

僅供參考

型號 NVTFS010N10MCLTAG
PNEDA編號 NVTFS010N10MCLTAG
描述 PTNG 100V
制造商 ON Semiconductor
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庫存 3,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVTFS010N10MCLTAG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVTFS010N10MCLTAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVTFS010N10MCLTAG, NVTFS010N10MCLTAG數據表 (總頁數: 7, 大小: 200.8 KB)
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NVTFS010N10MCLTAG規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.7A (Ta), 57.8 (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 85µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2150pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)3.2W (Ta), 77.8W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-WDFN (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerWDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2480pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

151nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

480W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

390nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25700pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta), 288W (Tc)

工作溫度

175°C (TJ)

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