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NVTFWS002N04CTAG

NVTFWS002N04CTAG

僅供參考

型號 NVTFWS002N04CTAG
PNEDA編號 NVTFWS002N04CTAG
描述 MOSFET N-CH 80V 8WDFN
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NVTFWS002N04CTAG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NVTFWS002N04CTAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
NVTFWS002N04CTAG, NVTFWS002N04CTAG數據表 (總頁數: 7, 大小: 207.2 KB)
PDFNVTFWS002N04CTAG數據表 封面
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NVTFWS002N04CTAG規格

制造商ON Semiconductor
系列*
FET類型-
技術-
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs-
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型-
供應商設備包裝-
包裝/箱-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

887pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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154mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 154mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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