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NXH80T120L2Q0SG

NXH80T120L2Q0SG

僅供參考

型號 NXH80T120L2Q0SG
PNEDA編號 NXH80T120L2Q0SG
描述 MODULE PIM 80A 1200V PIM20
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXH80T120L2Q0SG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXH80T120L2Q0SG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
NXH80T120L2Q0SG, NXH80T120L2Q0SG數據表 (總頁數: 15, 大小: 303.05 KB)
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NXH80T120L2Q0SG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
配置T-Type
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)65A
功率-最大146W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 80A
當前-集電極截止(最大值)100µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.99nF @ 20V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱Module
供應商設備包裝20-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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300A

功率-最大

890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

26.4nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.56nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

供應商設備包裝

ISOTOP

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

6250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 1000A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

81nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1400V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

4100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4.2V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

120nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Chassis Mount

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