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NXPSC06650BJ

NXPSC06650BJ

僅供參考

型號 NXPSC06650BJ
PNEDA編號 NXPSC06650BJ
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 6A D2PAK
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 4,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXPSC06650BJ資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXPSC06650BJ
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NXPSC06650BJ, NXPSC06650BJ數據表 (總頁數: 10, 大小: 284.48 KB)
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NXPSC06650BJ規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 6A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 650V
電容@ Vr,F190pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK
工作溫度-結點175°C (Max)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 90V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2.7mA @ 35V

電容@ Vr,F

1400pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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