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NXPSC06650Q

NXPSC06650Q

僅供參考

型號 NXPSC06650Q
PNEDA編號 NXPSC06650Q
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 41,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXPSC06650Q資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXPSC06650Q
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NXPSC06650Q, NXPSC06650Q數據表 (總頁數: 10, 大小: 229.47 KB)
PDFNXPSC06650Q數據表 封面
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NXPSC06650Q規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 6A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 650V
電容@ Vr,F190pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點175°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

920mV @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.2µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

28pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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