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NXPSC08650Q

NXPSC08650Q

僅供參考

型號 NXPSC08650Q
PNEDA編號 NXPSC08650Q
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 4,320
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXPSC08650Q資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXPSC08650Q
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NXPSC08650Q, NXPSC08650Q數據表 (總頁數: 10, 大小: 229.85 KB)
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NXPSC08650Q規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 8A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr230µA @ 650V
電容@ Vr,F260pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點175°C (Max)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

400pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

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