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NXPSC20650Q

NXPSC20650Q

僅供參考

型號 NXPSC20650Q
PNEDA編號 NXPSC20650Q
描述 DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC
制造商 WeEn Semiconductors
單價 請求報價
庫存 2,088
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

NXPSC20650Q資源

品牌 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
制造商零件編號NXPSC20650Q
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
NXPSC20650Q, NXPSC20650Q數據表 (總頁數: 10, 大小: 231.88 KB)
PDFNXPSC20650Q數據表 封面
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NXPSC20650Q規格

制造商WeEn Semiconductors
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 20A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 650V
電容@ Vr,F600pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-2
供應商設備包裝TO-220AC
工作溫度-結點175°C (Max)

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860mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AC, DO-15, Axial

供應商設備包裝

DO-204AC (DO-15)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.47µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

7.9pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-221AC, SMA Flat Leads

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 10A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

875mV @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

60pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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