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P600M-E3/73

P600M-E3/73

僅供參考

型號 P600M-E3/73
PNEDA編號 P600M-E3-73
描述 DIODE GEN PURP 1KV 6A P600
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
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庫存 7,296
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

P600M-E3/73資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號P600M-E3/73
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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P600M-E3/73規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 6A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F150pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱P600, Axial
供應商設備包裝P600
工作溫度-結點-50°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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45V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 45V

電容@ Vr,F

600pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-220AC

工作溫度-結點

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2200V

電流-平均整流(Io)

600A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.44V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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600V

電流-平均整流(Io)

800mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

19pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

2200V

電流-平均整流(Io)

8000A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

820mV @ 4000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25µs

當前-反向泄漏@ Vr

300mA @ 2200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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-

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430V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 430V

電容@ Vr,F

-

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