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PBLS6005D,115

PBLS6005D,115

僅供參考

型號 PBLS6005D,115
PNEDA編號 PBLS6005D-115
描述 TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 9 - 二月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBLS6005D資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBLS6005D,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PBLS6005D, PBLS6005D數據表 (總頁數: 17, 大小: 254.21 KB)
PDFPBLS6005D數據表 封面
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PBLS6005D規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 700mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 60V
電阻-基本(R1)47kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA / 340mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)1µA, 100nA
頻率-過渡185MHz
功率-最大600mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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Toshiba Semiconductor and Storage

系列

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz, 250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

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Panasonic Electronic Components

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms, 4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms, 4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA, 1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6

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制造商

Panasonic Electronic Components

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz, 80MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

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2 PNP - Pre-Biased (Dual)

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