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PBLS6023D,115

PBLS6023D,115

僅供參考

型號 PBLS6023D,115
PNEDA編號 PBLS6023D-115
描述 TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSOP
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 2,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBLS6023D資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBLS6023D,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PBLS6023D, PBLS6023D數據表 (總頁數: 17, 大小: 226.31 KB)
PDFPBLS6023D數據表 封面
PBLS6023D數據表 頁面 2 PBLS6023D數據表 頁面 3 PBLS6023D數據表 頁面 4 PBLS6023D數據表 頁面 5 PBLS6023D數據表 頁面 6 PBLS6023D數據表 頁面 7 PBLS6023D數據表 頁面 8 PBLS6023D數據表 頁面 9 PBLS6023D數據表 頁面 10 PBLS6023D數據表 頁面 11

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PBLS6023D規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA, 1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V, 60V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)10kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A
當前-集電極截止(最大值)1µA, 100nA
頻率-過渡150MHz
功率-最大760mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝6-TSOP

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ON Semiconductor

系列

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

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安裝類型

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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