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PBSS5130PAP,115

PBSS5130PAP,115

僅供參考

型號 PBSS5130PAP,115
PNEDA編號 PBSS5130PAP-115
描述 TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,302
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 27 - 五月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBSS5130PAP資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBSS5130PAP,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
PBSS5130PAP, PBSS5130PAP數據表 (總頁數: 17, 大小: 745.28 KB)
PDFPBSS5130PAP數據表 封面
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PBSS5130PAP規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic280mV @ 50mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce170 @ 500mA, 2V
功率-最大510mW
頻率-過渡125MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-HUSON-EP (2x2)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-563

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 150mA, 10V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

150°C (TJ)

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Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 6mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 3A, 2V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

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