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PBSS5160PAP,115

PBSS5160PAP,115

僅供參考

型號 PBSS5160PAP,115
PNEDA編號 PBSS5160PAP-115
描述 TRANS 2PNP 60V 1A 6HUSON
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 29,106
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PBSS5160PAP資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PBSS5160PAP,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
PBSS5160PAP, PBSS5160PAP數據表 (總頁數: 17, 大小: 746.58 KB)
PDFPBSS5160PAP數據表 封面
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PBSS5160PAP規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic340mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 500mA, 2V
功率-最大510mW
頻率-過渡125MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-UDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-HUSON-EP (2x2)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

1W

頻率-過渡

450MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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晶體管類型

2 PNP (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

170mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 1A, 2V

功率-最大

653mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

190mV @ 10mA, 200mA / 220mV @ 10mA, 200mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 50mA, 2V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

540MHZ, 520MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 350mA, 2V

功率-最大

2.25W

頻率-過渡

-

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20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 3mA, 30mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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