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PC28F256P30B2F TR

PC28F256P30B2F TR

僅供參考

型號 PC28F256P30B2F TR
PNEDA編號 PC28F256P30B2F-TR
描述 IC FLASH 256M PARALLEL 64EASYBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PC28F256P30B2F TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PC28F256P30B2F TR
類別半導體內存IC內存

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PC28F256P30B2F TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列StrataFlash™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小256Mb (16M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-TBGA
供應商設備包裝64-EasyBGA (10x13)

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內存接口

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時鐘頻率

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電壓-供電

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工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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內存類型

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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訪問時間

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安裝類型

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內存類型

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內存格式

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FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

50µs

訪問時間

70ns

電壓-供電

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工作溫度

0°C ~ 70°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

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內存格式

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內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.4ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

6ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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