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PC28F512M29AWHB TR

PC28F512M29AWHB TR

僅供參考

型號 PC28F512M29AWHB TR
PNEDA編號 PC28F512M29AWHB-TR
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PC28F512M29AWHB TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PC28F512M29AWHB TR
類別半導體內存IC內存

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PC28F512M29AWHB TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列-
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率-
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-LBGA
供應商設備包裝64-FBGA (11x13)

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內存接口

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時鐘頻率

100kHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

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內存接口

SPI

時鐘頻率

104MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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內存類型

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技術

SDRAM

內存大小

128Mb (4M x 32)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

5.4ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

制造商

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

DRAM

內存大小

288Mb (16M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

400MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

20ns

電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

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內存大小

9Mb (512K x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

166MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

3.5ns

電壓-供電

3.135V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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