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PC28F512P30TFB TR

PC28F512P30TFB TR

僅供參考

型號 PC28F512P30TFB TR
PNEDA編號 PC28F512P30TFB-TR
描述 IC FLASH 512M PARALLEL 64EASYBGA
制造商 Micron Technology Inc.
單價 請求報價
庫存 3,366
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PC28F512P30TFB TR資源

品牌 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PC28F512P30TFB TR
類別半導體內存IC內存

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PC28F512P30TFB TR規格

制造商Micron Technology Inc.
系列Axcell™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NOR
內存大小512Mb (32M x 16)
內存接口Parallel
時鐘頻率52MHz
寫周期-字,頁100ns
訪問時間100ns
電壓-供電1.7V ~ 2V
工作溫度-40°C ~ 85°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱64-TBGA
供應商設備包裝64-EasyBGA (8x10)

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FLASH

內存大小

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內存接口

Parallel

時鐘頻率

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寫周期-字,頁

20µs

訪問時間

45ns

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Asynchronous

內存大小

4Mb (256K x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

15ns

訪問時間

15ns

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

0°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

供應商設備包裝

44-TSOP II

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Everspin Technologies Inc.

制造商

Everspin Technologies Inc.

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

RAM

技術

MRAM (Magnetoresistive RAM)

內存大小

4Mb (512K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

40MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

3V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Microchip Technology

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

512Kb (64K x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

20MHz

寫周期-字,頁

5ms

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

Die

供應商設備包裝

Die

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

系列

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內存類型

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內存大小

256Mb (16M x 16)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

133MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

6ns

電壓-供電

2.3V ~ 3V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

54-TFBGA

供應商設備包裝

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