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PDTA114TT,215

PDTA114TT,215

僅供參考

型號 PDTA114TT,215
PNEDA編號 PDTA114TT-215
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 18,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 24 - 四月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTA114TT資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTA114TT,215
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTA114TT, PDTA114TT數據表 (總頁數: 12, 大小: 197.81 KB)
PDFPDTA114TS數據表 封面
PDTA114TS數據表 頁面 2 PDTA114TS數據表 頁面 3 PDTA114TS數據表 頁面 4 PDTA114TS數據表 頁面 5 PDTA114TS數據表 頁面 6 PDTA114TS數據表 頁面 7 PDTA114TS數據表 頁面 8 PDTA114TS數據表 頁面 9 PDTA114TS數據表 頁面 10 PDTA114TS數據表 頁面 11

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PDTA114TT規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236AB

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

470 Ohms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

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47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

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