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PDTA115TT,215

PDTA115TT,215

僅供參考

型號 PDTA115TT,215
PNEDA編號 PDTA115TT-215
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 5 - 七月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTA115TT資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTA115TT,215
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTA115TT, PDTA115TT數據表 (總頁數: 18, 大小: 219.83 KB)
PDFPDTA115TS數據表 封面
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PDTA115TT規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)100 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 1mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236AB

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

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電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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