PDTB113ES,126
僅供參考
| 型號 | PDTB113ES,126 |
| PNEDA編號 | PDTB113ES-126 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 |
| 制造商 | NXP |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 2,556 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸) |
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PDTB113ES資源
| 品牌 | NXP |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | PDTB113ES,126 |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-雙極（BJT）-單，預偏置 |
| 數據表 |
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PDTB113ES規格
| 制造商 | NXP USA Inc. |
| 系列 | - |
| 晶體管類型 | PNP - Pre-Biased |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 500mA |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 50V |
| 電阻-基本（R1） | 1 kOhms |
| 電阻-發射極基（R2） | 1 kOhms |
| 直流電流增益（hFE）（最小值）@ Ic，Vce | 33 @ 50mA, 5V |
| Vce飽和度（最大值）@ Ib，Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| 當前-集電極截止（最大值） | 500nA |
| 頻率-過渡 | - |
| 功率-最大 | 500mW |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| 供應商設備包裝 | TO-92-3 |
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