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PDTB113ET,215

PDTB113ET,215

僅供參考

型號 PDTB113ET,215
PNEDA編號 PDTB113ET-215
描述 TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTB113ET資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTB113ET,215
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTB113ET, PDTB113ET數據表 (總頁數: 11, 大小: 234.57 KB)
PDFPDTB113ET數據表 封面
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PDTB113ET規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)1 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce33 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝TO-236AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

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電阻-發射極基(R2)

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