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PDTB113EUF

PDTB113EUF

僅供參考

型號 PDTB113EUF
PNEDA編號 PDTB113EUF
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.425W
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTB113EUF資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTB113EUF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTB113EUF, PDTB113EUF數據表 (總頁數: 27, 大小: 3,639.45 KB)
PDFPDTB143XUX數據表 封面
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PDTB113EUF規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)1 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce33 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡140MHz
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝SC-70

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Nexperia USA Inc.

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

100 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

220 Ohms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

202mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

SC-70-3 (SOT323)

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

230MHz

功率-最大

150mW

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

50mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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