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PDTC124EM,315

PDTC124EM,315

僅供參考

型號 PDTC124EM,315
PNEDA編號 PDTC124EM-315
描述 TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT883
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 5,976
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTC124EM資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTC124EM,315
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTC124EM, PDTC124EM數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,047.2 KB)
PDFPDTC124EE數據表 封面
PDTC124EE數據表 頁面 2 PDTC124EE數據表 頁面 3 PDTC124EE數據表 頁面 4 PDTC124EE數據表 頁面 5 PDTC124EE數據表 頁面 6 PDTC124EE數據表 頁面 7 PDTC124EE數據表 頁面 8 PDTC124EE數據表 頁面 9 PDTC124EE數據表 頁面 10 PDTC124EE數據表 頁面 11

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PDTC124EM規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)22 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大250mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-101, SOT-883
供應商設備包裝DFN1006-3

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

-

功率-最大

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

820 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-70, SOT-323

供應商設備包裝

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制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

500mW

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

100 kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

80MHz

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

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制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

22 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

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