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PDTC144EE,115

PDTC144EE,115

僅供參考

型號 PDTC144EE,115
PNEDA編號 PDTC144EE-115
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 3,780
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 7 - 三月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTC144EE資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTC144EE,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTC144EE, PDTC144EE數據表 (總頁數: 17, 大小: 1,531.44 KB)
PDFPDTC144ET/DG/B2數據表 封面
PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 2 PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 3 PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 4 PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 5 PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 6 PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 7 PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 8 PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 9 PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 10 PDTC144ET/DG/B2數據表 頁面 11

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PDTC144EE規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)47 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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2.2 kOhms

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2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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