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PDTD113EQAZ

PDTD113EQAZ

僅供參考

型號 PDTD113EQAZ
PNEDA編號 PDTD113EQAZ
描述 TRANS PREBIAS NPN 3DFN
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PDTD113EQAZ資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PDTD113EQAZ
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
PDTD113EQAZ, PDTD113EQAZ數據表 (總頁數: 24, 大小: 2,341.98 KB)
PDFPDTD143EQAZ數據表 封面
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PDTD113EQAZ規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)1 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce33 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡210MHz
功率-最大325mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-XDFN Exposed Pad
供應商設備包裝DFN1010D-3

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

47 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

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50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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