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PEMB9,315

PEMB9,315

僅供參考

型號 PEMB9,315
PNEDA編號 PEMB9-315
描述 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 19 - 三月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PEMB9資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PEMB9,315
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PEMB9, PEMB9數據表 (總頁數: 15, 大小: 915.04 KB)
PDFPUMB9數據表 封面
PUMB9數據表 頁面 2 PUMB9數據表 頁面 3 PUMB9數據表 頁面 4 PUMB9數據表 頁面 5 PUMB9數據表 頁面 6 PUMB9數據表 頁面 7 PUMB9數據表 頁面 8 PUMB9數據表 頁面 9 PUMB9數據表 頁面 10 PUMB9數據表 頁面 11

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PEMB9規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型2 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10kOhms
電阻-發射極基(R2)47kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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50V

電阻-基本(R1)

10kOhms, 10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms, 10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

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Nexperia USA Inc.

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

SOT-666

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

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電阻-基本(R1)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 10V

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