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PEMD20,115

PEMD20,115

僅供參考

型號 PEMD20,115
PNEDA編號 PEMD20-115
描述 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
制造商 Nexperia
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PEMD20資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PEMD20,115
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
PEMD20, PEMD20數據表 (總頁數: 11, 大小: 172.74 KB)
PDFPEMD20數據表 封面
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PEMD20規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列-
晶體管類型1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2kOhms
電阻-發射極基(R2)2.2kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 20mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic150mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)1µA
頻率-過渡-
功率-最大300mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-666

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50V

電阻-基本(R1)

1kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 50mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

420mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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2 NPN - Pre-Biased (Dual)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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-

電阻-基本(R1)

-

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

-

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系列

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晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

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50V

電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

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