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PHK18NQ03LT,518

PHK18NQ03LT,518

僅供參考

型號 PHK18NQ03LT,518
PNEDA編號 PHK18NQ03LT-518
描述 MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
制造商 Nexperia
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庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PHK18NQ03LT資源

品牌 Nexperia
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PHK18NQ03LT,518
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PHK18NQ03LT, PHK18NQ03LT數據表 (總頁數: 11, 大小: 152.25 KB)
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PHK18NQ03LT規格

制造商Nexperia USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.15V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10.6nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1380pF @ 12V
FET功能-
功耗(最大值)6.25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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NXP USA Inc.

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

530mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

SC-75

包裝/箱

SC-75, SOT-416

STD7NS20T4

STMicroelectronics

制造商

STMicroelectronics

系列

MESH OVERLAY™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

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DMP2088LCP3-7

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制造商

Diodes Incorporated

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-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

88mOhm @ 500mA, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.13W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

176W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerPAK® SO-8

包裝/箱

PowerPAK® SO-8

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