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PHX18NQ11T,127

PHX18NQ11T,127

僅供參考

型號 PHX18NQ11T,127
PNEDA編號 PHX18NQ11T-127
描述 MOSFET N-CH 110V 12.5A SOT186A
制造商 NXP
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庫存 6,516
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PHX18NQ11T資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PHX18NQ11T,127
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
PHX18NQ11T, PHX18NQ11T數據表 (總頁數: 12, 大小: 84.72 KB)
PDFPHX18NQ11T數據表 封面
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PHX18NQ11T規格

制造商NXP USA Inc.
系列TrenchMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)110V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds635pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)31.2W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220F
包裝/箱TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

750pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

6-TSOP

包裝/箱

SOT-23-6

SFT1443-TL-H

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

225mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta), 19W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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系列

TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

633pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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STW56N65M2

STMicroelectronics

制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

49A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

62mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3900pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

358W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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功耗(最大值)

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