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PMBFJ308,215

PMBFJ308,215

僅供參考

型號 PMBFJ308,215
PNEDA編號 PMBFJ308-215
描述 JFET N-CH 25V 250MW SOT23
制造商 NXP
單價 請求報價
庫存 13,062
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

PMBFJ308資源

品牌 NXP
ECAD Module ECAD
制造商零件編號PMBFJ308,215
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
PMBFJ308, PMBFJ308數據表 (總頁數: 15, 大小: 120.67 KB)
PDFPMBFJ310數據表 封面
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PMBFJ308規格

制造商NXP USA Inc.
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)25V
漏極至源極電壓(Vdss)25V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)12mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大-
電壓-截止(VGS關閉)@ ID1V @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5pF @ 10V
電阻-RDS(On)50 Ohms
功率-最大250mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23 (TO-236AB)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 10nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4.5pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

10V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 15V

電阻-RDS(On)

75 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16pF @ 20V

電阻-RDS(On)

30 Ohms

功率-最大

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FET類型

P-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

1mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

750mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

50mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

4V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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